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SIC

碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料,是制作耐高溫、耐高壓、耐高頻、大功率器件的理想材料。碳化硅的禁帶寬度大約是硅的3倍,臨界擊穿場強(qiáng)大約是硅的10倍。
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